| 摘要 |
本发明系关于一种处理金属碳化物基板表面的方法，该金属碳化物基板系使用于半导体制程。;本发明亦关于一种使用于半导体制程且依本发明之方法处理的金属碳化物基板。;依据本发明，该方法包括以下步骤：使用反应性气体混合物来选择性地蚀刻该金属碳化物基板表面，藉此于该金属碳化物基板上形成碳表面层，以及移除形成于该金属碳化物基板上之该碳表面层。;因此，使用依据本发明之方法步骤，可以获得的金属碳化物基板，具有符合半导体制程所需之在尺寸与纯度方面为最高标准之表面结构。尤其依据本发明之步骤所处理之金属碳化物基板非常适合用来作为处理与容纳半导体晶圆之晶舟，以于精确且良好控制之工作条件(温度、压力和真空度)下，在半导体晶圆上进行后续之半导体制程之处理程序步骤(例如半导体层沈积或温度回火)。 |
