| 摘要 |
本发明系在底板(51)上形成下层绝缘膜(1)，将具有半导体基板(4)及设置于该半导体基板下之多个外部接续用电极(13)的多个半导体构成体(2)固着在上述下层绝缘膜上，在上述半导体构成体之周围的上述下层绝缘膜上形成绝缘层(31a)，且在上述半导体构成体及上述绝缘层上形成上层绝缘膜(32a)。其次，将上述底板(51)除去，其后，在上述下层绝缘膜下，将下层配线(22,22A)形成接续至上述半导体构成体之外部接续用电极，而且在上述上层绝缘膜上形成上层配线(33,33A)。其后，将上述半导体构成体之间的上述下层绝缘膜、上述绝缘层、及上述上层绝缘膜加以切断而获得多个半导体装置。 |
