发明名称 |
半导体结构与基板之结合方法及使用该方法所制之高发光效率元件 |
摘要 |
一种半导体结构与基板之结合方法及使用该方法所制之高发光效率元件,其系于取一半导体结构与一基板后,形成一复合导接层于半导体结构上,连结该基板与复合导接层,以形成一复合合金接合层,其中该半导体结构系包括一化合物半导体基板,使移除该化合物半导体基板后,形成一高发光效率元件;又,该复合导接层亦可形成于基板上,或同时形成于半导体结构与基板。 |
申请公布号 |
TWI384589 |
申请公布日期 |
2013.02.01 |
申请号 |
TW097114263 |
申请日期 |
2008.04.18 |
申请人 |
杜全成 台北市士林区德行西路119号5楼 |
发明人 |
杜全成 |
分类号 |
H01L21/8258;H01L33/00 |
主分类号 |
H01L21/8258 |
代理机构 |
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代理人 |
潘海涛 台北市松山区复兴北路69号3楼;袁铁生 台北市松山区复兴北路69号3楼 |
主权项 |
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地址 |
台北市士林区德行西路119号5楼 |