氮化物半导体发光二极体元件

摘要

一种氮化物半导体发光二极体元件，其包括基板、N型掺杂层、主动层、P型掺杂层、第一电极及第二电极。N型掺杂层位于基板之一侧上。主动层位于N型掺杂层上，其包括至少一量子井结构。量子井结构包括二量子阻障层以及位于量子阻障层之间的量子井。量子阻障层为包括四元氮化物的超晶格结构。P型掺杂层位于主动层上。第一电极位于P型掺杂层上。第二电极位于N型掺杂层曝露出的平台上或位于基板的另一侧上。