发明名称 |
形成奈米多孔性介电膜之方法 |
摘要 |
一种形成奈米多孔性薄膜之方法,其包括形成一包含一基质前驱物材料、一多孔质材料及一溶剂的涂布溶液,此可藉由选择一聚亚芳基基质前驱物材料,其会交联而形成一具有至少0.003莫耳/毫升之经计算的交联部分密度之基质;及让该聚亚芳基基质前驱物材料与一多孔质反应,该多孔质为一从包含烯基或炔基官能基的单体形成之线性寡聚物或聚合物,其具有一反应性末端基团及重量平均分子量范围少于约5000,其中该多孔质的存在量范围约10至少于50重量百分比,以该多孔质及基质前驱物材料的总重量为准。 |
申请公布号 |
TWI384027 |
申请公布日期 |
2013.02.01 |
申请号 |
TW094115373 |
申请日期 |
2005.05.12 |
申请人 |
陶氏全球科技有限责任公司 美国 |
发明人 |
牛庆;汉费德 杰瑞;莱恩斯 约翰;赛登 詹姆斯;席维斯 H. 克莱格 |
分类号 |
C08L49/00;C08L51/06;C08J5/18;C08J7/18;C08J9/24;H01B3/30 |
主分类号 |
C08L49/00 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |