| 摘要 |
La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une ou plusieurs tranchées dans un dispositif comprenant un substrat de type semi-conducteur sur isolant formé d'une couche semi-conductrice de support, d'une couche isolante reposant sur la couche de support, et d'une couche semi-conductrice reposant sur ladite couche isolante, le procédé comprenant des étapes de : a) dopage localisé d'une portion donnée de ladite couche isolante à travers une ouverture d'une couche de masquage reposant sur la fine couche semi-conductrice , b) retrait sélectif de ladite zone donnée dopée au fond de ladite ouverture. |
