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<p>Le procédé de détermination des concentrations en impuretés dopantes dans un échantillon de silicium comprend la prévision d'un lingot de silicium comportant des impuretés dopantes de type donneur et des impuretés dopantes de type accepteur, une étape (F1) de détermination de la position d'une première zone du lingot dans laquelle s'effectue une transition entre un premier type de conductivité et un second type de conductivité opposé, en soumettant des portions du lingot à un traitement chimique à base d'acide fluorhydrique, d'acide nitrique et d'acide acétique, jusqu'à observer des défauts caractéristiques de la transition entre le premier type de conductivité et le second type de conductivité sur l'une des portions, une étape (F2) de mesure de la concentration en porteurs de charge libres dans une seconde zone du lingot, distincte de la première zone, et une étape (F3) de détermination des concentrations en impuretés dopantes dans l'échantillon à partir de la position de la première zone et de la concentration en porteurs de charge libres dans la seconde zone du lingot.</p> |
