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Beschrieben wird ein Transistor. Der Transistor umfasst einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten horizontalen Oberfläche (101); ein Driftgebiet (13), das in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist; mehrere Gateelektroden (21), die in Gräben des Halbleiterkörpers (100) angeordnet sind, wobei die Gräben eine Längsrichtung aufweisen und wenigstens annäherungsweise parallel zueinander verlaufen, wobei die Längsrichtung der Gräben einer ersten lateralen Richtung x des Halbleiterkörpers (100) entspricht; Bodygebiete (121, 122), die zwischen den Gräben angeordnet sind; und Sourcegebiete (11), die zwischen den Gräben angeordnet sind, wobei die Bodygebiete (121, 122) in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) zwischen dem Driftgebiet (13) und den Sourcegebieten (11) angeordnet sind, wobei die Sourcegebiete (11) und die Bodygebiete (122) in der ersten lateralen Richtung in der ersten horizontalen Oberfläche (101) abwechselnd angeordnet sind und wobei eine Sourceelektrode (31) in der ersten horizontalen Oberfläche (101) elektrisch an die Sourcegebiete (11) und die Bodygebiete (122) angeschlossen ist. |
