Herstellung von Gatedielektrika in PMOS- und NMOS-Transistoren

摘要

Verfahren zur Herstellung eines Gatedielektrikumsmaterials, wobei das Verfahren umfasst: Bilden eines dielektrischen Basismaterials (251) auf einem ersten aktiven Gebiet (203p) und einem zweiten aktiven Gebiet (203n), wobei das erste aktive Gebiet (203p) eine erste Potentialtopfdotierung besitzt; selektives Bilden einer zweiten Potentialtopfdotierung in einem zweiten aktiven Gebiet (203n) unter Anwendung einer Maske (211), die das zweite aktive Gebiet freilegt (203n) und das erste aktive Gebiet (203p) abdeckt vor einem selektiven Entfernen des dielektrischen Basismaterials (251) unter Anwendung der Maske (211); Entfernen der Maske (211); und Bilden eines weiteren dielektrischen Materials (251) über dem zweiten aktiven Gebiet (203n) und dem auf dem ersten aktiven Gebiet (203p) verbleibenden dielektrischen Basismaterial (251).