| 主权项 |
1.一种电子照相受光子之制法,其包括一基体,其上具有一含;h晶矽为主成份并含1-40原子%之氢之电荷产生层,及一含氧化铝为主成份之电荷传输层,其中,电荷产生层之厚度为0盘1-30“m,电荷传输层之厚度为2-100以m,其中该电荷传输层是藉贱子电镀法使用Ab03或铝为原料同时藉1艾10i-110i托籣之真空度引入氧气之下所形成,该电荷产生层是藉一种电浆CVD法将矽烷或以矽烷为底质(s31ane based)之气体作挥光拉所形成,又其中该电荷传辕层系形成于该电荷产生层之上部或下部者。2.如申请专利范围第1项之电子照相受光子之制法,其中,该电荷传输层之砾子电锂法又包括真空室内之真空度110i至1汽1仃7托尔,离子化电极詖施加之电压+1至+500v,基体被施加之偏压0至盘2,000v,电子枪电压0.5至50KV,电子枪电流0.5至1,000煦以及基体温度20至1.000匀之成膜条件者。 |
