| 发明名称 | 基于GaN衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于GaN衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法，采用III-V族化合物半导体GaN作为衬底，通过对GaN衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，实现了石墨烯生长的最优化，在GaN上面直接生长石墨烯，无需金属作为催化剂，生长的石墨烯无需转移过程，便可以直接用于制造各种器件，为氮化镓-石墨烯结构器件提供了材料，提高了器件的电学特性，可靠性，降低了器件制造的复杂性。 | ||
| 申请公布号 | CN102903617A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201210408272.6 | 申请日期 | 2012.10.22 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 宁静;王东;韩砀;闫景东;柴正;张进成;郝跃 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种基于氮化镓衬底的石墨烯CVD直接外延方法，其特征在于，采用III‑V族化合物半导体GaN作为衬底，通过对GaN衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，实现了石墨烯生长的最优化，在GaN上面直接生长石墨烯，无需金属作为催化剂，生长的石墨烯无需转移过程，为氮化镓‑石墨烯结构器件提供了材料，可直接用于制造各种器件。 | ||
| 地址 | 710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 | ||