薄膜晶体管基板及其制造方法

摘要

各TFT（5a）包括：设置在基板（10）的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与栅极电极（11a）重叠的方式设置有沟道区域（C）的、包括氧化物半导体的半导体层（13a）；和在半导体层（13a）上以隔着沟道区域（C）相互分离的方式设置的源极电极（15aa）和漏极电极（15b），各辅助电容（6a）包括：与栅极电极（11a）在相同层利用相同材料设置的电容线（11b）；以覆盖电容线（11b）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；以在栅极绝缘膜（12）上与电容线（11b）重叠的方式使用氧化物半导体设置的电容中间层（13c）；和在电容中间层（13c）上设置的电容电极（15b），电容中间层（13c）具有导电性。

主权项

一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：呈矩阵状设置的多个像素电极；按所述各像素电极分别设置且与该各像素电极连接的多个薄膜晶体管；和按所述各像素电极分别设置的多个辅助电容，所述各薄膜晶体管包括：设置于基板的栅极电极；以覆盖该栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜；在该栅极绝缘膜上以与所述栅极电极重叠的方式设置有沟道区域的、包括氧化物半导体的半导体层；和在该半导体层上以隔着所述沟道区域相互分离的方式设置的源极电极和漏极电极，所述各辅助电容包括：在与所述栅极电极相同的层利用与所述栅极电极相同的材料设置的电容线；以覆盖该电容线的方式设置的所述栅极绝缘膜；在该栅极绝缘膜上以与所述电容线重叠的方式使用所述氧化物半导体设置的电容中间层；和设置于该电容中间层上的电容电极，所述电容中间层具有导电性。