发明名称 |
相移光掩模制作方法 |
摘要 |
本发明提供了一种相移光掩模制作方法。在含有可成形硬膜的第一光刻胶的相移光掩模基板上,通过第一光刻在第一光刻胶中形成第一版图图形结构;在第一光刻胶上涂布多胺化合物以固化第一光刻胶中第一版图图形的结构,加热使多胺化合物与第一光刻胶表面反应以形成不溶于第二光刻胶的隔离膜,去除多余的多胺化合物;在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶;进行第二光刻从而在第二光刻胶膜中形成第二版图图形的结构;通过刻蚀将光刻胶中的第一版图图形和第二版图图形分别转移到部分透光的硅化鉬薄膜和不透光的铬薄膜中,完成相移光掩模制作。本工艺减少了制作相移光掩模工艺中的刻蚀步骤,可以有效地提高产能和减少制作成本。 |
申请公布号 |
CN102902153A |
申请公布日期 |
2013.01.30 |
申请号 |
CN201210451906.6 |
申请日期 |
2012.11.12 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
毛智彪 |
分类号 |
G03F1/26(2012.01)I |
主分类号 |
G03F1/26(2012.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种相移光掩模制作方法,其特征在于包括:第一步骤:在含有可成形硬膜的第一光刻胶的相移光掩模基板上,通过第一光刻在第一光刻胶中形成第一版图图形结构;第二步骤:在第一光刻胶上涂布多胺化合物以固化第一光刻胶中第一版图图形的结构,加热使多胺化合物与第一光刻胶表面反应以形成不溶于第二光刻胶的隔离膜,去除多余的多胺化合物;第三步骤:在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶;第四步骤:进行第二光刻从而在第二光刻胶膜中形成第二版图图形的结构;第五步骤:通过刻蚀将光刻胶中的第一版图图形和第二版图图形分别转移到部分透光的硅化鉬薄膜和不透光的铬薄膜中,完成相移光掩模制作。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |