| 发明名称 | 半导体器件和用于制造半导体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件和用于制造半导体的方法，其中该半导体器件包括：半导体基底、在半导体基底上的无机隔离层和在无机隔离层上的金属化层。金属化层包括熔断器结构。至少在熔断器结构的区域，金属化层和无机隔离层具有公共界面。 | ||
| 申请公布号 | CN102903701A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201210269333.5 | 申请日期 | 2012.07.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 加布里埃莱·贝蒂纳施;迈克尔·舍雷克;乌韦·赛德尔;沃尔夫冈·沃尔特;于贝尔·维尔特曼 |
| 分类号 | H01L23/62(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/62(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体基底；在所述半导体基底上的无机隔离层；以及在所述无机隔离层上的金属化层，所述金属化层包括熔断器结构，其中，至少在所述熔断器结构的区域中，所述金属化层与所述无机隔离层具有公共界面。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||