发明名称 具有狭窄同系物分布之烷氧化物的制造方法
摘要 在所描述的方法中,含有具反应性之氢原子的化合物之烷氧反应之进行是于不高于60℃的温度,以浓度不超过30莫耳%的五卤化锑作为催作剂的情况下,先将五卤化锑溶于一部分欲将其予以烷氧化之所欲量的化合物中,然后将所制得的催化剂预混合物之全数或一部分作为催化剂组份,与剩余量之欲将其予以烷氧化物的化合物混合,再使因此而得到的起始混合物与烯化氧进行反应而完成。
申请公布号 TW187100 申请公布日期 1992.07.11
申请号 TW080102539 申请日期 1991.04.02
申请人 赫斯特化工厂 发明人 伊格纳.威玛
分类号 C07C27/04 主分类号 C07C27/04
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种具有狭窄同系物分布之烷氧化物的制造方法,其系以主链为直链或支链之C6至C18-烷醇族群中的化合物与氧化烯烃反应,并使用五卤化锑做为触媒,该方法系包括:a)于20至60℃之温度,将五卤化锑溶解于部份欲烷氧化之化合物中,以备制一含有5至30mo %五卤化锑的触媒溶液;b)将步骤a)中所制得之溶液或其之部份与剩余之欲烷氧化化合物结合,而形成一烷氧化反应之起始溶液,以将上述之溶液做为触媒组份,上述结合之程序系于20至80℃之温度下进行,惟其之先决条件系于上述之溶液中存有0.05至1mo %之五卤化锑:以及c)将于步骤b)中所备制之起始溶液块氧化烯烃于40至160℃之温度下进行反应。2.如申请专利范围第1项之方法,其中于步骤a)中所备制的触媒溶液系含有10至20mo%之五卤化锑。3.如申请专利范围第1项之方法,其中于步骤b)中所备制的起始溶液系含有0.2至0.6mo %之五卤化锑。4.如申请专利范围第1至3项中任何一项之方法,其中使用做为触媒者系为五卤化锑,而使用做为氧化烯径者系为氧
地址 德国
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