发明名称 | 一种有机场效应晶体管的制作方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种有机场效应晶体管的制作方法。该方法包括如下步骤:(1)清洗表面设有栅电极的基底;(2)在所述栅电极上沉积聚合物绝缘层;所述聚合物绝缘层为聚苯乙烯绝缘层或聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层;(3)在所述聚合物绝缘层上悬涂光刻胶,然后置于光刻掩膜板下进行曝光和显影,得到图案化的源漏电极;然后再置于紫外光下进行再次曝光;再继续蒸镀金膜,然后再显影液处理后得到源漏电极;(4)在得到的源漏电极上蒸镀有机半导体层即得到有机场效应晶体管。本发明具有以下有益效果:1、本方法可以在处理温度低(50℃)的绝缘层上进行光刻。2、采用二次曝光的方法,巧妙的避开了丙酮对于绝缘层的影响。 | ||
申请公布号 | CN102903850A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
申请号 | CN201210406370.6 | 申请日期 | 2012.10.23 |
申请人 | 中国科学院化学研究所 | 发明人 | 胡文平;纪德洋;江浪;董焕丽 |
分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅 |
主权项 | 一种有机场效应晶体管的制作方法,包括如下步骤:(1)清洗表面设有栅电极的基底;(2)在所述栅电极上沉积聚合物绝缘层;所述聚合物绝缘层为聚苯乙烯绝缘层或聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层;(3)在所述聚合物绝缘层上悬涂光刻胶,然后置于光刻掩膜板下进行曝光和显影,得到图案化的源漏电极;然后再置于紫外光下进行再次曝光;再继续蒸镀金膜,然后再显影液处理后得到源漏电极;(4)在得到的源漏电极上蒸镀有机半导体层即得到有机场效应晶体管。 | ||
地址 | 100190 北京市海淀区中关村北一街2号 |