将单晶半导体层转移到支承衬底上的方法

摘要

本发明涉及将单晶半导体层转移到支承衬底上的方法。这种将单晶半导体层（3）转移到支承衬底（1）上的方法包括以下步骤：a）将物种注入施主衬底（31）；b）将施主衬底（31）键合至所述支承衬底（1）；c）使施主衬底（31）断裂以便将层（3）转移到支承衬底（1）上；以及以下步骤：使待被转移的单晶层（3）的部分（34）变为非晶，而没有打乱所述层（3）的第二部分（35）的晶格，所述部分（34、35）分别为所述单晶层（3）的表面部分和隐埋部分；所述非晶部分（34）在低于500℃的温度下再结晶，所述第二部分（35）的晶格用作再结晶的籽晶。

主权项

一种将单晶半导体层（3）转移到支承衬底（1）上的方法，包括以下连续步骤：a）将物种注入被称为施主衬底的衬底（31）中，以便在所述施主衬底（31）中形成脆化区（32），所述脆化区（32）限定待被转移的单晶层（3）；b）将所述施主衬底（31）键合至所述支承衬底（1）；c）使所述施主衬底（31）在脆化区（32）断裂，以便将所述层（3）转移到所述支承衬底（1）上；d）移除被转移单晶层的表面部分；所述方法的特征在于，其还包括以下步骤：使所述待被转移的单晶层（3）的第一部分（34）变为非晶，而不用打乱所述单晶层（3）的第二部分（35）的晶格，所述第一部分和第二部分（34、35）分别为所述单晶层（3）中相对于注入方向的表面部分和隐埋部分，在执行步骤d）中的移除单晶层的表面部分之后，所述第一部分（34）的厚度大于被转移单晶层（3’）的厚度；所述单晶层（3）的所述第一非晶部分（34）再结晶，所述第二部分（35）的晶格用作再结晶的籽晶，所述再结晶在低于500℃的温度下执行。