发明名称 |
用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法 |
摘要 |
一种用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构,包括:一钝化膜;一第一掺杂层,制作在钝化膜上的中间部位;一硅衬底,制作在第一掺杂层上的中间部位;一第二掺杂层,制作在硅衬底上,其长度大于衬底的长度,与第一掺杂层的长度相同;一钝化减反膜,制作在第二掺杂层上,其长度大于第二掺杂层的长度,与钝化膜长度相同;一第三掺杂层,制作在硅衬底的一侧,并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层一侧的端部;一第四掺杂层,制作在硅衬底的另一侧,并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层的另一侧的端部;一第一电极,制作在第三掺杂层上,该第一电极的表面与钝化膜和钝化减反膜的端面齐平;一第二电极,制作在第四掺杂层上,形成电池单元;该电池结构通过多个电池单元两侧的第一电极和第二电极串接而成。 |
申请公布号 |
CN102903775A |
申请公布日期 |
2013.01.30 |
申请号 |
CN201210408491.4 |
申请日期 |
2012.10.24 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
邢宇鹏;韩培德;范玉杰;王帅;梁鹏 |
分类号 |
H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构,包括:一钝化膜;一第一掺杂层,该第一掺杂层制作在钝化膜上的中间部位;一硅衬底,该硅衬底制作在第一掺杂层上的中间部位;一第二掺杂层,该第二掺杂层制作在硅衬底上,其长度大于衬底的长度,与第一掺杂层的长度相同;一钝化减反膜,该钝化减反膜制作在第二掺杂层上,其长度大于第二掺杂层的长度,与钝化膜长度相同;一第三掺杂层,该第三掺杂层制作在硅衬底的一侧,并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层一侧的端部;一第四掺杂层,该第四掺杂层制作在硅衬底的另一侧,并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层的另一侧的端部;一第一电极,该第一电极制作在第三掺杂层上,该第一电极的表面与钝化膜和钝化减反膜的端面齐平;一第二电极,该第二电极制作在第四掺杂层上,该第二电极的表面与钝化膜和钝化减反膜的另一端面齐平,形成电池单元;该电池结构通过多个电池单元两侧的第一电极和第二电极串接而成。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |