一种场效应晶体管

摘要

本发明提供一种场效应晶体管，该晶体管表面设有第一介质层和第二介质层，所述第二介质层设置于所述第一介质层上，所述第一介质层和所述第二介质层的材料的介电常数不同，所述第二介质层的材料为低介电常数的材料。本发明一种场效应晶体管在第一介质层上设置低介电常数的第二介质层，第一层介质层为了钝化材料表面态和缺陷，第二层介质层为了降低强场下的空气电离效应，低介电常数的第二介质层可以大大降低器件的寄生电容，提高器件的截止频率。第一介质层和第二介质层也可以辅助形成场板结构，场板结构有利于进一步减低电场，减低电流崩塌效应。

主权项

一种场效应晶体管，其特征在于：该晶体管表面设有第一介质层（8）和第二介质层（9），所述第一介质层（8）直接设置于所述晶体管表面上，所述第二介质层（9）直接设置于所述第一介质层（8）上，所述第一介质层（8）和所述第二介质层（9）的材料的介电常数不同，所述第二介质层（9）的材料为低介电常数的材料；所述场效应晶体管由下至上依次包括基片（1）、半导体层（3）、隔离层（4）、第一介质层（8）和第二介质层（9），该场效应晶体管还包括源极（5）、漏极（6）和栅极（7），所述源极（5）和漏极（6）设置于所述隔离层（4）上且电性连接所述半导体层（3），所述栅极（3）设置于所述隔离层（4）上，所述栅极（7）位于所述源极（5）和漏极（6）之间；所述栅极（7）为单层金属、双层金属或者多层金属栅极；所述第一介质层（8）为钝化所述场效应晶体管表面态或表面电子陷阱的钝化介质层；所述第二介质层（9）为用于降低器件与空气接触区域的电场、降低空气电离引起的电流崩塌效应的介质层。