| 发明名称 | 形成接触孔的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成接触孔的方法，包括：在半导体衬底上依次形成绝缘介质层、硬掩膜层和光刻胶层；在光刻胶层上形成接触孔开口图形；以光刻胶层为掩膜，沿接触孔开口图形刻蚀硬掩膜层，形成接触孔开口；去除所述光刻胶层；以硬掩膜层为掩膜，沿接触孔开口采用等离子体刻蚀工艺刻蚀绝缘介质层至一定深度，所述深度为形成目标接触孔深度的三分之一至四分之三；判断硬掩膜层表面积累的带电离子类型，在反应腔中通入与所述带电离子类型相反的等离子体，至中和所述带电离子；以硬掩膜层为掩膜，继续刻蚀绝缘介质层至露出半导体衬底，形成目标接触孔。所述方法可形成开口宽度均匀的接触孔。 | ||
| 申请公布号 | CN102054745B | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN200910198064.6 | 申请日期 | 2009.10.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邹立;罗飞 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种形成接触孔的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成绝缘介质层、硬掩膜层和光刻胶层；在光刻胶层上形成接触孔开口图形；以光刻胶层为掩膜，沿接触孔开口图形刻蚀硬掩膜层，形成接触孔开口；去除所述光刻胶层；以硬掩膜层为掩膜，沿接触孔开口采用等离子体刻蚀工艺刻蚀绝缘介质层至一定深度，所述深度为形成目标接触孔深度的三分之一至四分之三；判断硬掩膜层表面积累的带电离子类型，在反应腔中通入与所述带电离子类型相反的等离子体，至中和所述带电离子；以硬掩膜层为掩膜，继续刻蚀绝缘介质层至露出半导体衬底，形成目标接触孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||