非易失性存储器控制方法及半导体装置

摘要

本发明提供一种非易失性存储器控制方法及半导体装置，可在非易失性存储器中，在不会不期望地增大写入次数的情况下使阈值返回变动前的状态。在包括非易失性存储器(14)、随机数发生器(12)和可存取上述非易失性存储器的控制器(11)的系统中，每次对上述非易失性存储器进行存取时，根据上述随机数发生器发生的随机数，由上述控制器确定刷新对象区。然后使上述控制器执行对上述刷新对象区进行再写入的刷新控制。通过这样的刷新控制，在不会不期望地增大写入次数的情况下使阈值返回变动前的状态。

主权项

一种非易失性存储器控制方法，是具有非易失性存储器和可存取上述非易失性存储器的控制器的系统中的非易失性存储器控制方法，其特征在于，管理关于上述非易失性存储器中的全部存取对象区的存取次数的合计值和刷新对象区，在每次对上述非易失性存储器的存取发生时，使上述控制器执行更新对上述非易失性存储器的存取次数的合计值，根据上述存取次数的合计值进行是否进行刷新的判别，根据该判别对上述刷新对象区进行用于将构成上述非易失性存储器的存储单元的阈值电压恢复到变动前的状态的再写入的刷新控制。