高光功率密度紫外线LED固化光源及其制备方法

摘要

本发明涉及一种高光功率密度紫外LED固化光源及其制备方法。本光源包括散热器、LED基板、银胶、紫外LED芯片、金线、硅胶、透明石英玻璃盖板和挡胶框，所述率紫外LED芯片通过银胶固晶在散热器的固晶面，所述LED基板固定在散热器的固品面，LED基板上有反光杯、打金焊盘和走线层，通过打金焊盘、金线以及LED基板上的走线层连接紫外LED芯片，形成紫外LED芯片串，所述档胶框固定在LED基板上，硅胶涂敷层填充在挡胶框内，所述石英玻璃盖板固定在挡胶框上。本发明解决了光源散热不良产生的光衰，可以实现高密度阵列式集成紫外LED芯片，制作高光功率密度的紫外线LED面光源或者线光源。其结构简单，制造成本低廉，在固化、消毒等工业领域具有非常广阔的应用前景。

主权项

一种高光功率密度紫外LED固化光源，包括散热器(1)、LED基板(2)、银胶(3)、紫外LED芯片(4)、金线(5)、硅胶(6)、透明石英玻璃盖板(7)和挡胶框(8)，其特征在于所述紫外LED芯片(4)通过银胶(3)阵列排列固晶在散热器(1)的固晶面，所述LED基板(2)固定在散热器(1)的固品面，LED基板(2)上有反光杯、打金焊盘和走线层；所述反光杯形状为一锥形孔，该锥形孔的孔径上面大，下面小，上面孔径为2mm到3.5mm之间，下面孔径为1.7mm到2mm之间，反光杯的位置与散热器(1)表面所阵列排列的紫外LED芯片(4)的位置想对应，紫外LED芯片(4)位于反光杯的中心；打金焊盘位于反光杯的两侧，用金线(5)连接紫外LED芯片(4)的电极和打金焊盘，通过金线(5)以及打金焊盘连接紫外LED芯片(4)，形成紫外LED芯片串；走线层位于LED基板(2)的表面，用于连接不同紫外LED芯片串的正负极，使得不同紫外LED芯片串正极相连，负极相连，形成并连结构，走线层的厚度为10微米到100微米之间；所述档胶框(8)固定在LED基板(2)上，包围着所有紫外LED芯片串，硅胶(6)涂敷层填充在挡胶框(8)内；固封住所有紫外LED芯片串；所述银胶(3)用于紫外LED芯片(4)的固晶，其中银粉的含量大于95％；所述石英玻璃盖板(7)由硅胶或者紫外线粘结胶粘结固定在挡胶框(8)上。