一种Sb₈₀Te₂₀/SbSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用

摘要

本发明涉及微电子技术领域，具体涉及一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用。本发明的Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜中Sb80Te20薄膜和SbSe薄膜交替排列，其中，单层Sb80Te20薄膜的厚度为2～16nm，单层SbSe薄膜的厚度为6～20nm，所述Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜总厚度为60～200nm。本发明材料与传统的相变薄膜材料相比，具有较快的晶化速度，较好的数据保持能力，并且本发明的材料在相变前后高低电阻之比达到三个数量级以上，保证了在相应相变存储器中足够的开关比，在相变存储器领域具有较好的应用前景。

主权项

一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜，所述Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜中Sb80Te20薄膜和SbSe薄膜交替排列，其中，单层Sb80Te20薄膜的厚度为2～16nm，单层SbSe薄膜的厚度为6～20nm，所述Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜总厚度为60～200nm。