发明名称 |
静电保护电路、阵列基板及显示装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种静电保护电路,涉及显示技术领域,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的源极连接形成第一连接点;所述第一薄膜晶体管的漏极和第三薄膜晶体管的漏极连接形成第二连接点;所述第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的漏极、第三薄膜晶体管的源极和第三薄膜晶体管的栅极相连。本实用新型还提供了相应的阵列基板及显示装置,设计的静电保护电路包括至少两个静电疏导电路,能够起到分流的作用,同时当任意一个或两个薄膜晶体管发生静电击穿短路时,整个静电保护电路仍然能正常工作。 |
申请公布号 |
CN202712185U |
申请公布日期 |
2013.01.30 |
申请号 |
CN201220364535.3 |
申请日期 |
2012.07.25 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
徐向阳;赵婷婷 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王莹 |
主权项 |
一种静电保护电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的源极连接形成第一连接点;所述第一薄膜晶体管的漏极和第三薄膜晶体管的漏极连接形成第二连接点;所述第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的漏极、第三薄膜晶体管的源极和第三薄膜晶体管的栅极相连。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |