发明名称 |
一种通孔结构的制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种通孔结构的制作方法,包括在衬底上形成通孔结构;对通孔结构进行圆化处理,增大通孔结构顶部的开口面积,形成圆化通孔结构;在圆化通孔结构表面依次淀积介质层、阻挡层和籽晶层;在圆化通孔结构内部填充铜。通过本发明的制作方法,不仅可以避免淀积过程中形成的材料堆积,有利于后续电镀铜工艺的顺利完成,还能够增大电镀窗口,提高后续铜电镀的填隙能力。 |
申请公布号 |
CN102903672A |
申请公布日期 |
2013.01.30 |
申请号 |
CN201210405327.8 |
申请日期 |
2012.10.22 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司 |
发明人 |
胡正军 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种通孔结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S01:在衬底上形成通孔结构;步骤S02:对所述的通孔结构进行圆化处理,增大所述的通孔结构顶部的开口面积,形成圆化通孔结构;步骤S03:在所述的圆化通孔结构的表面依次淀积介质层、阻挡层和籽晶层;步骤S04:在所述的圆化通孔结构内部填充铜。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 |