发明名称 一种通孔结构的制作方法
摘要 本发明提供一种通孔结构的制作方法,包括在衬底上形成通孔结构;对通孔结构进行圆化处理,增大通孔结构顶部的开口面积,形成圆化通孔结构;在圆化通孔结构表面依次淀积介质层、阻挡层和籽晶层;在圆化通孔结构内部填充铜。通过本发明的制作方法,不仅可以避免淀积过程中形成的材料堆积,有利于后续电镀铜工艺的顺利完成,还能够增大电镀窗口,提高后续铜电镀的填隙能力。
申请公布号 CN102903672A 申请公布日期 2013.01.30
申请号 CN201210405327.8 申请日期 2012.10.22
申请人 上海集成电路研发中心有限公司 发明人 胡正军
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;林彦之
主权项 一种通孔结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S01:在衬底上形成通孔结构;步骤S02:对所述的通孔结构进行圆化处理,增大所述的通孔结构顶部的开口面积,形成圆化通孔结构;步骤S03:在所述的圆化通孔结构的表面依次淀积介质层、阻挡层和籽晶层;步骤S04:在所述的圆化通孔结构内部填充铜。
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