| 发明名称 | 用于沉积的FET沟道的自对准到栅极的外延源极/漏极接触 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种形成自对准器件的方法，包括：将纳米碳管(CNT)沉积到晶体介电衬底上；隔离所述晶体介电衬底的包围所述CNT的位置的部分；在维持所述CNT的结构完整性的同时，在所述CNT上形成栅极电介质和栅极电极栅极叠层；以及形成外延源极和漏极区，所述外延源极和漏极区与在所述晶体介电衬底上的所述CNT的从所述栅极电介质和栅极电极栅极叠层暴露的部分接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102906893A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201180025494.3 | 申请日期 | 2011.05.10 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | J·常;P·常;V·纳拉亚南;J·斯莱特 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;张亚非 |
| 主权项 | 一种形成自对准器件的方法，包括：将纳米碳管(CNT)沉积到晶体介电衬底上；隔离所述晶体介电衬底的包围所述CNT的位置的部分；在维持所述CNT的结构完整性的同时，在所述CNT上形成栅极电介质和栅极电极栅极叠层；以及形成外延源极和漏极区，所述外延源极和漏极区与在所述晶体介电衬底上的所述CNT的从所述栅极电介质和栅极电极栅极叠层暴露的部分接触。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||