半导体器件、通过垂直层叠半导体器件配置的半导体模块结构及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件、通过垂直层叠半导体器件配置的半导体模块结构及其制造方法。一种半导体器件包括：有机基板1；通孔4，沿基板的厚度方向贯穿有机基板；内部和外部电极5a，5b，在有机基板1的前和后面上并与通孔4电连接；半导体元件，经接合层3安装在有机基板1的一主表面上，其元件电路表面面向上；绝缘材料层6，密封半导体元件及其周边；金属薄膜布线层7，在绝缘材料层中提供，其一部分在外表面上暴露；金属过孔10，在绝缘材料层中并与布线层7电连接；以及，外部电极9，在布线层7上形成，其中布线层7被构造为电连接在半导体元件2的元件电路表面上的电极、电极5a、金属过孔10以及在布线层上形成的外部电极9。

主权项

一种半导体器件，包括：有机基板；通孔，在基板的厚度方向上贯穿所述有机基板；外部电极和内部电极，被提供到所述有机基板的前面和后面并且电连接到所述通孔；半导体元件，通过接合层安装在所述有机基板的一个主表面上，所述半导体元件的元件电路表面面向上；绝缘材料层，用于密封所述半导体元件及其周边；金属薄膜布线层，被提供在所述绝缘材料层中，所述金属薄膜布线层的一部分在外表面上暴露；金属过孔，被提供在所述绝缘材料层中并且电连接到所述金属薄膜布线层；以及，在所述金属薄膜布线层上形成的外部电极，其中所述金属薄膜布线层被构造为电连接设置在所述半导体元件的所述元件电路表面上的电极、所述内部电极、所述金属过孔以及在所述金属薄膜布线层上形成的所述外部电极。