一种肖特基二极管及其制备方法

摘要

本发明提供一种肖特基二极管，包括衬底层以及形成在衬底层上方的一系列Ⅲ族氮化物层，利用异质结结构，使相邻Ⅲ族氮化物层之间形成二维电子气沟道，Ⅲ族氮化物层与阴极电极形成欧姆接触，Ⅲ族氮化物层与阳极电极形成肖特基接触；还包括与阳极电极连接的金属场板以及填充在金属场板和最上层的Ⅲ族氮化物层之间的至少一个具有P型掺杂的Ⅲ族氮化物增强层。本发明提供的肖特基二极管能够同时提高反向耐压能力和正向导通能力。

主权项

一种肖特基二极管，包括衬底层以及形成在所述衬底层上方的一系列Ⅲ族氮化物层，相邻所述Ⅲ族氮化物层之间形成二维电子气沟道，所述Ⅲ族氮化物层与阴极电极形成欧姆接触，所述Ⅲ族氮化物层与阳极电极形成肖特基接触；其特征在于：还包括与阳极电极连接的金属场板以及填充在所述金属场板和最上层的Ⅲ族氮化物层之间的具有P型掺杂的Ⅲ族氮化物增强层。