发明名称 低温度漂移的基准电压电路结构
摘要 本实用新型涉及一种低温度漂移的基准电压电路结构,属于电路结构技术领域。该低温度漂移的基准电压电路结构包括产生基准电压的基准电压核心支路、产生负温度补偿电流的温度补偿回路和提供偏置电流的偏置回路,该电路结构还包括基准电压输出回路,所述的温度补偿回路和偏置回路分别连接所述的基准电压核心支路,所述的基准电压输出回路连接所述的温度补偿回路,从而利用偏置回路及温度补偿回路可以有效地补偿并入后主电流的负温度变化趋势,并且可以调节补偿强弱,实现温度补偿功能,使基准电压恒定,并很少随环境温度和集成电路制造工艺波动,且本实用新型的低温度漂移的基准电压电路结构的结构简单,成本低廉,应用范围也较为广泛。
申请公布号 CN202711107U 申请公布日期 2013.01.30
申请号 CN201220400545.8 申请日期 2012.08.13
申请人 无锡华润矽科微电子有限公司 发明人 陈继辉;杨颖;张勤;程学农
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 王洁
主权项 一种低温度漂移的基准电压电路结构,其特征在于,所述的电路结构包括产生基准电压的基准电压核心支路、产生负温度补偿电流的温度补偿回路和提供偏置电流的偏置回路,该电路结构还包括基准电压输出回路,所述的温度补偿回路和偏置回路分别连接所述的基准电压核心支路,所述的基准电压输出回路连接所述的温度补偿回路。
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