一种GaN衬底转移石墨烯的退火工艺及制作的器件

摘要

本发明公开了一种GaN衬底转移石墨烯的退火工艺，采用高温退火的方式，修复衬底转移过程中产生的石墨烯缺陷，进一步去除转移过程中没能去除或是新引进的杂质。同时，高温退火还可以使衬底与石墨烯接触得到改善，接触均匀性大大提高，为GaN衬底和石墨烯两者的优势结合提供保障。最终使转移石墨烯表面更洁净，缺陷更少，石墨烯平整与GaN衬底接触更好。本发明由于采用在Ar气气氛中较低温度退火，有效的去除石墨烯表面吸附的水分子和其他杂质分子，由于采用高于700℃的高退火温度，得以形成衬底上附着石墨烯与GaN衬底的有效接触。

主权项

一种GaN衬底转移石墨烯的退火工艺，其特征在于，采用高温退火的方式，修复衬底转移过程中产生的石墨烯缺陷，进一步去除转移过程中没能去除或是新引进的杂质，同时进行高温退火。