带有沟槽和顶部接触的发光装置

摘要

装置（30）包括半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区域（50）与p型区域（54）之间的发光层（52）。布置在该半导体结构的底部表面上的底部接触（72）电连接到该n型区域（50）和该p型区域（54）之一。布置在该半导体结构的顶部表面上的顶部接触（34）电连接到该n型区域（50）和该p型区域（54）的另一者。镜（45,47）与该顶部接触（34）对齐。该镜（45,47）包括：沟槽（44,46），其形成在该半导体结构中；以及布置在该沟槽（44,46）中的反射材料（58,62），其中该沟槽（44,46）延伸通过该发光层（52）。

主权项

一种装置，包括：半导体结构，所述半导体结构包括布置在n型区域与p型区域之间的发光层；底部接触，所述底部接触布置在所述半导体结构的底部表面上，其中所述底部接触电连接到所述n型区域和所述p型区域之一；顶部接触，所述顶部接触布置在所述半导体结构的顶部表面上，其中所述顶部接触电连接到所述n型区域和所述p型区域的另一者；以及镜，所述镜布置在顶部接触的正下方，所述镜包括形成在所述半导体结构中的沟槽和布置在所述沟槽中的反射材料，其中所述沟槽延伸通过所述发光层。