发明名称 | 制造半导体发光器件的方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种制造半导体发光器件的方法,该方法包括:准备衬底,其包括彼此相对的第一及第二主表面;在衬底的第一主表面中形成多个突起部;在其上形成有多个突起部的第一主表面上形成发光叠层,该发光叠层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层;通过移除形成在对应于围绕多个突起部的沟槽部的区域中的发光叠层部分形成多个发光结构;以及沿着沟槽部分离衬底。 | ||
申请公布号 | CN102903814A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
申请号 | CN201210306242.4 | 申请日期 | 2012.07.25 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金起范;许元九;崔丞佑;李承宰;李时赫;金台勋 |
分类号 | H01L33/20(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 李昕巍 |
主权项 | 一种制造半导体发光器件的方法,该方法包括:准备衬底,该衬底包括彼此相对的第一主表面及第二主表面;在衬底的第一主表面中形成多个突起部;在其上形成有多个突起部的第一主表面上形成发光叠层,该发光叠层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层;通过移除发光叠层的形成在对应于围绕多个突起部的沟槽部的区域中的部分,形成多个发光结构;以及沿着沟槽部分离衬底,从而从形成在衬底上的多个发光结构获得独立的半导体发光器件。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |