| 发明名称 | 一种制备具有高比表面和晶化孔壁的介孔LaCoO<sub>3</sub>的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备具有高比表面和晶化孔壁的介孔LaCoO3的方法，所述方法包括如下操作：a)将含有镧源和钴源的前驱体溶液在毛细管力作用下灌注到硬模板介孔二氧化硅的介孔孔道中；b)将装载有镧和钴前驱体的介孔二氧化硅复合物进行干燥；c)进行分级热处理；d)去除介孔二氧化硅模板。由本发明方法可获得比表面积为200～300m2/g，孔径为5～8nm，孔容为0.2～0.8cm3/g的介孔LaCoO3，催化活性得到大大提高，可满足更广领域的应用要求，且本发明所述方法，具有成本低廉、工艺简便、可控性强等优点，具有极强实用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN102897850A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201210442545.9 | 申请日期 | 2012.11.07 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所;华东理工大学 | 发明人 | 王永霞;崔香枝;李永生;施剑林 |
| 分类号 | C01G51/00(2006.01)I | 主分类号 | C01G51/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人 | 何葆芳 |
| 主权项 | 一种制备具有高比表面和晶化孔壁的介孔LaCoO3的方法，其特征在于，包括如下操作：a)将含有镧源和钴源的前驱体溶液在毛细管力作用下灌注到硬模板介孔二氧化硅的介孔孔道中；b)将装载有镧和钴前驱体的介孔二氧化硅复合物进行干燥；c)进行分级热处理；d)去除介孔二氧化硅模板。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||