| 发明名称 | 100毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了单一多型体的单晶碳化硅晶片，其直径大于75毫米，并小于125毫米，电阻率大于10000ohm-cm，微管密度小于200cm-2，并且浅能级掺杂剂的总浓度小于5E16cm-3。 | ||
| 申请公布号 | CN102899723A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201210395316.6 | 申请日期 | 2005.06.14 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | J·R·杰尼 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I;B24B7/22(2006.01)I;B24B9/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李跃龙 |
| 主权项 | 制备高品质块状碳化硅单晶的方法，该方法包括在生长前对晶种的两面进行研磨。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗莱纳 | ||