发明名称 一种SiCf/SiC 复合材料及其制备方法
摘要 本发明提供了一种SiCf/SiC复合材料的制备方法,包括以下步骤:将SiC纤维进行针刺编毡步骤得到第一针刺毡;采用化学气相沉淀法在第一针刺毡上制备SiC涂层得到第二针刺毡;将第二针刺毡在树脂中浸渍裂解2~4次得到毡体素坯,毡体素坯中C基体的体积分数为30%~65%;采用真空气相渗透法,将毡体素坯在气相硅气氛下进行烧结得到SiCf/SiC复合材料。解决了现有技术中SiCf/SiC复合材料力学性能差,制备周期长、成本高的技术问题。
申请公布号 CN102898171A 申请公布日期 2013.01.30
申请号 CN201210410226.X 申请日期 2012.10.24
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 刘荣军;曹英斌;张长瑞;林栋
分类号 C04B35/80(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/80(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 吴贵明
主权项 一种SiCf/SiC复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)、将SiC纤维进行针刺编毡步骤得到第一针刺毡;2)、采用化学气相沉淀法在所述第一针刺毡上制备SiC涂层得到第二针刺毡;3)、将所述第二针刺毡在树脂中浸渍裂解2~4次得到毡体素坯,所述毡体素坯中C基体的体积分数为30%~65%;4)、采用真空气相渗透法将所述毡体素坯在气相硅气氛下进行烧结得到SiCf/SiC复合材料。
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