| 发明名称 | 介质层的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种介质层的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；对所述介质层进行第一次处理，增强介质层表面硅氧键的结合力；刻蚀介质层至露出半导体衬底，形成沟槽或通孔；在沟槽或通孔内填充满金属层；对所述介质层进行第二次处理，降低介质层的介电常数。本发明有效防止了超低k介质层的k值漂移及电容的大幅变化，保证半导体器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102903620A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201110211072.7 | 申请日期 | 2011.07.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓浩;张彬 |
| 分类号 | H01L21/268(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/268(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种介质层的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；对所述介质层进行第一次处理，增强介质层表面硅氧键的结合力；刻蚀介质层至露出半导体衬底，形成沟槽或通孔；在沟槽或通孔内填充满金属层；对所述介质层进行第二次处理，降低介质层的介电常数。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||