| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种能够提高半导体装置的耐压以及耐压稳定性的半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于，具备：第一导电型的半导体衬底；半导体元件，形成于该半导体衬底；保护环，在该半导体衬底上以包围该半导体元件的方式由第二导电型的扩散层形成；低洼部分，在该半导体衬底上以包围该保护环的方式形成得比该半导体衬底的主面低；沟道停止层，沿着该低洼部分的内壁由第一导电型的扩散层形成。 | ||
| 申请公布号 | CN102903760A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201210259128.0 | 申请日期 | 2012.07.25 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 星子高广 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;李浩 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的半导体衬底；半导体元件，形成于所述半导体衬底；保护环，在所述半导体衬底上以包围所述半导体元件的方式由第二导电型的扩散层形成；低洼部分，在所述半导体衬底上以包围所述保护环的方式形成得比所述半导体衬底的主面低；以及沟道停止层，沿着所述低洼部分的内壁由第一导电型的扩散层形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||