发明名称 |
一种p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料 |
摘要 |
一种p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料,是采用层递式沉积方法制备的由宽带隙非晶硅碳薄膜和窄带隙p型纳米颗粒硅薄膜交替生长的多层材料,非晶硅碳薄膜的厚度为2-8nm,p型纳米颗粒硅薄膜的厚度为2-8nm,如此循环沉积多次,直至形成总厚度为20-50nm的p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱材料;该p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料用于硅基薄膜太阳电池。本发明的优点是:该材料光学带隙可达2.0~3.7eV,电导率可达0.1~5.0S/cm;该材料用于硅基薄膜太阳电池,可显著提高电池的开路电压,降低窗口层的光吸收损失,提高电池的短波响应和短路电流密度,提高光电转换效率。 |
申请公布号 |
CN102903767A |
申请公布日期 |
2013.01.30 |
申请号 |
CN201210436043.5 |
申请日期 |
2012.11.05 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
倪牮;马峻;张建军;侯国付;陈新亮;张晓丹;赵颖 |
分类号 |
H01L31/0376(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0376(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种p型非晶硅碳‑纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料,其特征在于:是采用层递式沉积方法制备的由宽带隙非晶硅碳薄膜和窄带隙p型纳米颗粒硅薄膜交替生长的多层材料,非晶硅碳薄膜的厚度为2‑8nm,该薄膜中碳含量为30‑100%,然后是一层p型纳米颗粒硅薄膜,该薄膜厚度为2‑8nm,薄膜内部硅结晶形态为颗粒状,结晶成分占全部材料的体积百分比为70‑100%;如此循环沉积多次,直至形成总厚度为20‑50nm的p型非晶硅碳‑纳米颗粒硅多量子阱材料。 |
地址 |
300071 天津市南开区卫津路94号 |