| 发明名称 | 低介电常数层间绝缘膜及低介电常数层间绝缘膜的成膜方法 | ||
| 摘要 | 本发明的低介电常数层间绝缘膜，通过等离子体CVD法形成，至少含有碳和硅，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为3.8以下。此外，本发明的低介电常数层间绝缘膜的成膜方法，具有通过等离子体CVD法使至少含有碳和硅的绝缘膜材料成膜的工序，作为所述绝缘膜材料不使用烃，在形成的低介电常数层间绝缘膜中，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为3.8以下。 | ||
| 申请公布号 | CN102906865A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201180011792.7 | 申请日期 | 2011.02.25 |
| 申请人 | 大阳日酸株式会社;三化研究所股份有限公司 | 发明人 | 清水秀治;永野修次;大桥芳;加田武史;菅原久胜 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;C23C16/509(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;王珍仙 |
| 主权项 | 一种低介电常数层间绝缘膜，通过等离子体CVD法形成，至少含有碳和硅，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为3.8以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||