温控半导体处理装置

摘要

本发明揭露了一种温控半导体处理装置，所述温控半导体处理装置包括一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室部，半导体晶圆被装载于所述微腔室部内形成的空腔中，且半导体晶圆与所述空腔的内壁之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室部中还包括至少一个供处理流体进入所述空腔的入口和至少一个供处理流体排出所述空腔的出口，所述微腔室部还包括有设置于所述空腔的外围区域的温度控制模块。与现有技术相比，本发明通过在所述空腔的不同外围区域设置若干个温度控制模块的方式，获得了针对所述空腔不同区域的多点温度控制，从而获得对所述空腔内不同区域的化学反应速率的调节。

主权项

一种温控半导体处理装置，其特征在于，其包括：一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室部，半导体晶圆被装载于所述微腔室部内形成的空腔中，且半导体晶圆与所述空腔的内壁之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室部中还包括至少一个供处理流体进入所述空腔的入口和至少一个供处理流体排出所述空腔的出口，所述微腔室部还包括有设置于所述空腔的外围区域的温度控制模块。