发明名称 |
单晶制造装置及单晶的制造方法 |
摘要 |
本发明是涉及一种单晶制造装置及单晶的制造方法,该单晶制造装置(10),是根据切克劳斯基法来实行的单晶制造装置(10),具备主腔室(11),用以收容包含坩埚(13)的热区零件;及拉拔腔室(12),用于收纳从已收容在坩埚(13)内的原料熔液被提拉上来的单晶,然后加以取出;其中,进而具备要被配置在坩埚上且有冷却介质流通的冷却管(1)、及使该冷却管(1)上下移动的移动机构(3),而在培育单晶后,利用移动机构(3),使冷却管(1)朝向坩埚(13)下降,来冷却热区零件。由此,提供一种单晶制造装置及单晶的制造方法,在提拉大口径例如200mm以上的单晶后,能在短时间内冷却主腔室内的热区零件。 |
申请公布号 |
CN101970728B |
申请公布日期 |
2013.01.30 |
申请号 |
CN200980109099.6 |
申请日期 |
2009.02.17 |
申请人 |
信越半导体股份有限公司 |
发明人 |
阿部孝夫 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
郑小军;冯志云 |
主权项 |
一种单晶制造装置,是根据切克劳斯基法来实行的单晶制造装置,至少具备主腔室,用以收容包含坩埚的热区零件;及拉拔腔室,用于收纳从已收容在前述坩埚内的原料熔液被提拉上来的单晶,然后加以取出;该单晶制造装置的特征在于:进而具备要被配置在前述坩埚上且有冷却介质流通的冷却管、及使该冷却管上下移动的移动机构,而在培育前述单晶后,利用前述移动机构,使前述冷却管朝向前述坩埚下降,来冷却前述热区零件,前述冷却管被设置在能够与前述拉拔腔室作置换的降温腔室内。 |
地址 |
日本东京都 |