| 发明名称 | 一种低电容的晶体管功率器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低电容的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅层、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于；所述栅氧化层和所述多晶硅层之间，还设置一热场氧化层，所述热场氧化层的厚度为9500-11500埃。本发明具有低电容、驱动功率较低、栅区不容易损坏、使用寿命长。 | ||
| 申请公布号 | CN102254940B | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201110224497.1 | 申请日期 | 2011.08.06 |
| 申请人 | 深圳市稳先微电子有限公司 | 发明人 | 王新 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种低电容的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于；所述栅氧化层和所述多晶硅层之间，还设置一热场氧化层，所述热场氧化层的厚度为9500‑11500埃；所述热场氧化层是在生长所述栅氧化层之前，将厚场氧化后进行光刻时，保留部分氧化层形成；并且，所述热场氧化层仅设置在形成所述栅电极的多晶硅层和所述栅氧化层之间，作为所述栅电极的介质层；并且，所述热场氧化层还设置在所述源电极的N+源区，作为N+源区注入的屏蔽口。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市福田区车公庙天安数码城创新科技广场二期东座1002室 | ||