| 发明名称 | 一种制作栅结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制作栅结构的方法，该方法包括：提供衬底；在所述衬底之上形成栅电介质层；在所述栅电介质层之上沉积一层牺牲层；刻蚀所述牺牲层形成暴露出所述栅电介质层的沟槽，再在所形成的结构表面沉积栅导电层；通过各向异性刻蚀工艺从上往下对所述栅导电层进行刻蚀直至暴露所述牺牲层；去除所述的牺牲层获得栅结构。本发明的方法，采用侧墙形成工艺实现了栅结构的制作，尤其适合制作较小尺寸的栅结构，特别是较小尺寸的双栅结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102903623A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201210353180.2 | 申请日期 | 2012.09.20 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 储佳 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种制作栅结构的方法，该方法包括：提供衬底；在所述衬底之上形成栅电介质层；在所述栅电介质层之上沉积一层牺牲层；刻蚀所述牺牲层形成暴露出所述栅电介质层的沟槽，再在所形成的结构表面沉积栅导电层；通过各向异性刻蚀工艺从上往下对所述栅导电层进行刻蚀直至暴露所述牺牲层；去除所述的牺牲层获得栅结构。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科高斯路497号 | ||