| 发明名称 | 制作倒装高电压交直流发光二极管的方法 | ||
| 摘要 | 一种制作倒装高电压交直流发光二极管的方法，包括如下步骤：步骤1：在一上衬底上依次生长成核层、N型掺杂层、发光层和P型掺杂层；步骤2：在P型掺杂层的表面向下刻蚀，刻蚀深度到达上衬底的表面，形成相互绝缘的发光单元；步骤3：在P型掺杂层的表面向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在每一P型掺杂层上制作P电极；步骤5：在N型掺杂层的台面上制备N电极，形成LED芯片；步骤6：在一下衬底上生长一层绝缘层；步骤7：在绝缘层上制作金属层，形成倒装基板；步骤8：将LED芯片通过共晶键合的方法倒装在倒装基板上，所述LED芯片上的每一发光单元中的P电极与相邻发光单元中的N电极或P电极通过金属层电连接，完成制备。 | ||
| 申请公布号 | CN102903805A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201210405495.7 | 申请日期 | 2012.10.22 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 田婷;詹腾;张逸韵;郭金霞;李璟;伊晓燕;刘志强;王国宏 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种制作倒装高电压交直流发光二极管的方法，包括如下步骤：步骤1：在一上衬底上依次生长成核层、N型掺杂层、发光层和P型掺杂层；步骤2：在P型掺杂层的表面向下刻蚀，刻蚀深度到达上衬底的表面，形成相互绝缘的发光单元；步骤3：在P型掺杂层的表面向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在每一P型掺杂层上制作P电极；步骤5：在N型掺杂层的台面上制备N电极，形成LED芯片；步骤6：在一下衬底上生长一层绝缘层；步骤7：在绝缘层上制作金属层，形成倒装基板；步骤8：将LED芯片通过共晶键合的方法倒装在倒装基板上，所述LED芯片上的每一发光单元中的P电极与相邻发光单元中的N电极或P电极通过金属层电连接，完成制备。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||