| 发明名称 | MOS晶体管、具有应力层的衬底及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS晶体管、具有应力层的衬底及其形成方法，具有应力层的衬底的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩膜层，所述掩膜层具有凹槽和开口，所述凹槽对应第一类型的MOS晶体管源区区域和漏区区域，所述开口对应第二类型的MOS晶体管沟道区域；以所述掩膜层为掩膜对所述衬底进行离子注入，在第二类型的MOS晶体管沟道区域下方、在第一类型的MOS晶体管源区区域和漏区区域形成应力层。可以利用同一工艺，在衬底中形成张应力、压应力，避免现有技术中需要分别在衬底中形成张应力、压应力造成的工艺繁多，生产效率低的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102903639A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201110217542.0 | 申请日期 | 2011.07.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓浩;张彬;任万春;郭世璧 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种具有应力层的衬底的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩膜层，所述掩膜层具有凹槽和开口，所述凹槽对应第一类型的MOS晶体管源区区域和漏区区域，所述开口对应第二类型的MOS晶体管沟道区域；以所述掩膜层为掩膜对所述衬底进行离子注入，在第二类型的MOS晶体管沟道区域下方、在第一类型的MOS晶体管源区区域和漏区区域形成应力层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||