| 发明名称 | CaMgSi<sub>2</sub>O<sub>6</sub>体系微波介质材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种CaMgSi2O6体系微波介质材料及其制备方法，涉及电子信息材料与元器件技术领域，具体包括：85-98%重量的含有CaTiO3以及钡和钴掺杂的CaMgSi2O6微波介质材料和2-15%重量的LMZBS助熔剂。本发明所要解决的技术问题是提供一种CaMgSi2O6体系微波介质材料及其制备方法，有效提高品质因素，使得陶瓷能够在较低温度烧结下，保持良好介电性能的同时，拥有稳定的温度系数。 | ||
| 申请公布号 | CN102898126A | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN201210426642.9 | 申请日期 | 2012.10.25 |
| 申请人 | 北京元六鸿远电子技术有限公司 | 发明人 | 陈仁政;杨喻钦 |
| 分类号 | C04B35/22(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人 | 王秀丽 |
| 主权项 | 一种CaMgSi2O6体系微波介质材料，其特征在于，包括：85‑98%重量的含有CaTiO3以及钡和钴掺杂的CaMgSi2O6微波介质材料和2‑15%重量的LMZBS助熔剂。 | ||
| 地址 | 100070 北京市丰台区科技园区海鹰路一号院5号楼5层 | ||