| 发明名称 | 金属插塞制作方法 | ||
| 摘要 | 一种金属插塞制作方法，包括：提供用于制造集成电路的硅片，在硅片上形成介电层；依序进行光刻，蚀刻等工艺形成设计所需的沟槽；在介电层和沟槽上形成阻挡层和种子层；在种子层上电镀形成第一铜金属层；第一次退火；在第一铜金属层上电镀形成第二铜金属层；第二次退火；平坦化第一铜金属层和第二铜金属层，形成金属插塞。本发明避免了由于在退火过程中，所述空洞迁移到沟槽内侧，使得金属插塞表面存在空洞而使得铜电路传送信号时出现断路影响器件性能可靠性和良率的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102044478B | 申请公布日期 | 2013.01.30 |
| 申请号 | CN200910197111.5 | 申请日期 | 2009.10.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 聂佳相;刘盛;杨瑞鹏 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种金属插塞制作方法，其特征在于，包括：提供已形成铜电路互连层的硅片，在铜电路互连层上形成介电层；依序进行光刻，蚀刻工艺形成设计所需的沟槽；在介电层和沟槽上形成阻挡层和种子层；在种子层上电镀形成第一铜金属层；第一次退火；在第一铜金属层上电镀形成第二铜金属层；第二次退火；平坦化第一铜金属层和第二铜金属层，形成金属插塞，所述平坦化是指采用化学机械研磨去除第二铜金属层以及部分第一铜金属层、种子层和阻挡层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||