接合构造及半导体制造装置

摘要

提供一种高可靠性的接合构造及具有该接合构造的半导体制造装置，该接合构造具有埋设在陶瓷构件中的金属端子和与外部连接、或从外部供给电力的金属连接构件。实施方式中的半导体用基座1，由氮化铝构成，具有带孔的陶瓷构件4、由钼构成的埋设在陶瓷构件4中的端子3、插入到孔中的与端子3连接的由钼构成的连接构件5、连接端子3和连接构件5的焊料接合层6，焊料接合层6只由金(Au)构成。

主权项

一种接合构造，其特征在于，具有：由氮化铝构成的设有孔的陶瓷构件；埋设在所述陶瓷构件中且具有露在所述孔底面的露出面，并由钼构成的端子；与所述端子的所述露出面连接的、只由金构成的焊料接合层；以及插入到所述孔中，且通过所述焊料接合层与所述端子连接的、由钼构成的连接构件，所述连接构件具有：本体部；以及与所述本体部连接的端部；所述端部具有通过所述焊料接合层与所述孔底面连接的接合面；所述连接构件的所述接合面和所述孔的底面相互大致平行；所述端部的外侧面和所述孔的内侧面之间的间隔，比所述本体部的外侧面和所述孔的内侧面之间的间隔大；所述本体部的外侧面和所述孔的内侧面之间的间隔超过0mm且为0.5mm以下；在所述接合面的直径为4mm以上、6mm以下时，所述孔底面的直径比所述接合面的直径大1～1.5mm；所述金层的厚度为3μm以上10μm以下。