使用非晶碳上的氮氧化硅的硬掩模制造3-D集成电路的方法

摘要

一种用于制造3-D单片存储装置的方法。非晶碳上的氮氧化硅(SixOyNz)用作有效的、容易去除的、对硅、氧化物和钨具有高选择性的硬掩模。氮氧化硅层使用光致抗蚀剂蚀刻，所得经蚀刻的SixOyNz层用于蚀刻非晶碳层。硅、氧化物和/或钨层使用非晶碳层蚀刻。在一个实施中，3-D单片存储装置的导电轨通过使用图案化的非晶碳层作为硬掩模蚀刻诸如二氧化硅(SiO2)的氧化物层而形成。存储单元二极管通过使用另外的图案化的非晶碳层作为硬掩模蚀刻多晶硅层而形成，为置于导电轨间的多晶硅的柱状物。类似地形成导电轨和存储单元二极管的附加层级，从而构建3-D单片存储装置。

主权项

一种制造3‑D单片存储装置的方法，包括：在分层的结构中将第一氮氧化硅层图案化，以提供第一图案化的氮氧化硅层，所述分层的结构包括所述第一氮氧化硅层下方的第一硬掩模层，所述第一硬掩模层包括非晶碳，和所述第一硬掩模层下方的第一氧化物层，所述第一氧化物层形成于晶片基板上方，利用光致抗蚀剂材料，且随后进行移除所述第一氮氧化硅层上的所述光致抗蚀剂材料的剩余部分的步骤来进行所述将第一氮氧化硅层图案化；使用所述第一图案化的氮氧化硅层将所述第一硬掩模层图案化并随后进行移除所述第一硬掩模层上的所述第一图案化的氮氧化硅层的剩余部分的步骤，以提供第一图案化的硬掩模层；使用所述第一图案化的硬掩模层将所述第一氧化物层图案化，以通过在所述第一氧化物层中形成平行沟槽而提供第一图案化的氧化物层；以及通过用导电材料填充所述平行沟槽在所述第一图案化的氧化物层中形成第一组导电轨，所述第一组导电轨位于所述3‑D单片存储装置的特定层级中。