一种半导体材料的激光加工方法

摘要

本发明涉及一种半导体材料的激光加工方法，适用元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体，属于激光加工技术领域，本发明的优点在于多光束激光加工系统可依据半导体材料的物理特性选择其中一束作为切割加工，再依据切割加工熔渣的物理特性选择另一束激光对同一加工位置的熔渣同时进行加工，两束激光的加工功率、频率、焦点位置、加工速度等参数可针对被加工物的特性进行选择；单光束激光加工系统可依据半导体材料的物理特性选择第一次作为切割加工，再依据切割加工熔渣的物理特性选择第二次对同一加工位置的熔渣进行加工，两次激光的加工功率、频率、焦点位置、加工速度等参数可针对被加工物的特性进行选择，这样激光加工的针对性强，加工品质高。

主权项

一种半导体材料的激光加工方法，所述半导体材料包括元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体，如硅、锗、砷化镓、磷化镓、磷化铟、蓝宝石以及掺杂（硼、磷、铟和锑）制成其它化合物半导体，其特征是，所述加工方法采用多光束激光系统对半导体材在同一加工位置同时进行精密加工或是单束激光系统对半导体材在同一加工位置进行重复多次精密加工。